Фундаментальным положением
квантовой теории является вывод о том, что элементарные частицы (в том числе и
электроны) обладают свойством корпускулярного волнового дуализма. Поэтому
движение свободных электронов в металле можно рассматривать как распространение плоских электронных волн. Длина волны,
соответствующая электрону, определяется соотношением де Бройля
l=h/Р, м,
(1.18)
где h - постоянная
Планка, Дж×с;
P=mvе
- импульс электрона, кг×м/с;
m - масса
электрона, кг, vе
- тепловая скорость электрона, м/с.
При анализе спектра энергий электронов
удобно пользоваться понятием волнового
числа k, которое определяется соотношением
k=(2p/l), м-1 . (1.19)
Выражая значение импульса
электрона P в формуле (1.18)
через значение волнового числа k из (1.19), получим
следующее выражение, связывающее импульс, точнее, квазиимпульс электрона P
и волновое число k:
P=(h/2p)k=ћk, (1.20)
где= h/2p=1,05×10-34 Дж×с - постоянная Дирака.
Кинетическая энергия электрона в кристалле
находится из выражения
Wк=P2/2m, Дж. (1.21)
Следовательно, импульс электрона
определяется из соотношения
, (1.22)
а
волновое число электрона равно
(1.23)
Подставляя значение P из (1.20) в формулу (1.21), получим
выражение для спектра энергии электрона
Wк(k),
то есть для зависимости энергии электрона
W от волнового числа k
. (1.24)
где величина m* имеет размерность массы и формально определяется, как эффективная масса электрона.
Таким образом, для свободного
электрона, обладающего только кинетической энергией, зависимость W от волнового числа k
выражается квадратичной параболой.
В кристаллической решетке длина
волны электрона принимает ряд дискретных значений, кратных длине кристалла L. Рассмотрим это на примере
одномерной модели кристаллической решетки
(рис. 1.17), согласно которой длина кристалла определяется произведением
L=aN, где а - период кристаллической решетки, N -
число атомов в ряду.
Значения длин полуволн, укладывающихся
на длине кристалла L, определяются
соотношением
, м, (1.25)
где n принимает ряд дискретных значений, т.е. n=0, 1, 2, ...,N.
Соответственно, значение
волнового числа электрона k в одномерной решетке длины L принимает ряд дискретных значений
. (1.26)
Квантуется также и энергия электрона, которая будет равна
, (1.27)
где n=0, 1, 2, ...,N.
В одномерной кристаллической
решетке величина N достигает очень
больших значений (107...109), соответствующих числу атомов,
располагающихся вдоль одномерной линейки. Для больших значений N спектр длин
волн де Бройля в кристаллической решетке, то есть зависимость длины
электронной волны от числа n, можно считать
практически непрерывной. Поэтому движение электрона в кристалле можно
представить в виде так называемого волнового
пакета, представляющего наложение большого числа монохроматических
колебаний.
Очевидно, что минимальная длина
волны де Бройля соответствует максимальному значению n=N. Легко
рассчитать, что в этом случае
l=2aN/N=2a. (1.28)
Справедливость выражения (1.28) можно проверить, исходя из следующих
соображений. Среднее значение энергии электрона в кристалле Wк определяется соотношением W= (3/5)WF, то есть составляет величину 4...6 эВ. Из соотношения
де Бройля (1.18) и выражения (1.21) следует, что . Подставляя в эту формулу значение W и проводя вычисления, получим для длины волны де Бройля
значение l=0,6...0,5 нм, что близко к величине
параметра решетки, характерной для большинства кристаллов.
Зоны Бриллюэна
Подставляя в выражение (1.19)
значение l из соотношения (1.25) получим выражение, из
которого следует, что волновое число k для электрона
в кристалле принимает ряд дискретных
значений:
k=(2n/N)(p/a) . (1.27)
Рассчитаем максимальное значение
волнового числа k
электрона в одномерной кристаллической структуре. Для этого подставим в
выражение (1.19) минимальное значение длины волны де Бройля из (1.26). В результате
получим, что максимальное значение волнового числа электрона определяется
выражением
k=(p/a), м-1. (1.28)
Полагая а3×10-
Таким образом, диапазон значений
волнового числа k электрона в кристалле находится в
пределах
-(p/a) k +(p/a). (1.29)
Этот интервал значений k называется первой
зоной Бриллюэна.
Волновое число является
периодической функцией с периодом 2p/a и может
принимать значения (2p/a), (3p/a), ..., (np/a).
Значения k, лежащие в интервалах |-2p/a|k|-p/a| и |p/a|k|2p/a| носят названия второй
зоны Бриллюэна. Периодичность волнового числа k означает, что последующие зоны Бриллюэна
дают состояния, эквивалентные состояниям первой зоны Бриллюэна.
При этом значения энергии электрона на границах зон претерпевают разрыв.
Разрешенным энергетическим зонам в
твердом теле соответствуют зоны в k-пространстве волновых чисел. В простейшем случае для
линейной цепочки атомов имеем одномерное k-пространство.
Электрон, движущийся в кристалле,
обладает не только кинетической энергией Wк поступательного
движения, но и потенциальной энергией взаимодействия с решеткой U(k), представляющей
периодическую функцию волнового числа k. Полная
энергия электрона в кристалле W(k)=Wk+U(k)
также является периодической функцией волнового числа k, выражаемой соотношением вида
W(k)=W[k+n(2p/a)],
где n принимает целочисленные значения
0, 1, 2, ... . В так называемом приближении сильной связи выражение для полной
энергии электрона W(k) в разрешенной энергетической зоне одномерной кристаллической
структуры можно представить в виде
W(k)=Wо±g[1-cos(ka)], (1.30)
где Wо
–значение энергии в центре зоны Бриллюэна; g - коэффициент,
имеющий размерность энергии; знаки «плюс» и «минус» соответствуют зоне
проводимости и валентной зоне, соответственно.
Значение коэффициента g определяется величиной связи
между электронами соседних атомов, принадлежащими данной энергетической
зоне. Физический смысл коэффициента g заключается
в том, что его значение определяет ширину разрешенной энергетической
зоны Wg.
Так, для одномерной решетки ширина разрешенной зоны определяется
соотношением Wg=2g. Чем слабее связь между электронами, тем уже энергетическая
зона.
График функции (1.30), представленный в виде
так называемой периодической
зонной схемы, в которой каждая энергетическая зона периодически
повторяется во всех зонах Бриллюэна, показан
на рис. 1.18 (пунктирные линии).
Утолщенными линиями на рис. 1.18
показаны значения энергий электронов, соответствующие расширенной зонной схеме, в которой
различные энергетические зоны размещены в k-пространстве в
различных зонах Бриллюэна. Горизонтальные
линии ограничивают дно и потолок разрешенных зон. Сплошной тонкой линией
показана параболическая зависимость энергии свободного
электрона Wк
от волнового числа k в соответствии с формулой
(1.24).
Ширина запрещенных зон DWg определяется из выражения для значений энергии электрона W(np/a) в центрах зон Бриллюэна:
W(np/a) =U(np/a), (1.31)
где m - масса электрона; n=0, 2, 4 ... ; U(np/a) -
потенциальная энергия взаимодействия электрона с кристаллической решеткой при
значении волнового числа k=np/a.
Уравнение (1.29) имеет два решения.
Одно решение отвечает энергии, меньшей кинетической энергии свободного электрона
в центре зоны на U(np/a),
второе - большей на U(np/a).
Таким образом, в потенциальной энергии электрона создается энергетическая
щель DWg=2U(np/a). Из глубоких атомных уровней образуются
узкие энергетические зоны, разделенные широкими запрещенными
зонами DWg, что соответствует приближению более
слабой связи между электронами внутренних оболочек соседних
атомов. Для электронов верхних энергетических зон характерно
более сильное взаимодействие. Вследствие этого ширина разрешенных
зон увеличивается, а ширина запрещенных зон уменьшается,
как это показано на рис. 1.18. Число состояний в зоне Бриллюэна равно числу состояний в разрешенной
энергетической зоне, то есть Ng=2gN, где g - фактор вырождения. Максимальному
значению энергии электронов в кристалле соответствует
энергия уровня Ферми, WF.
Это значение показано на рис. 1.18 горизонтальной штрих-пунктирной
линией.
Из квантовой теории следует, в частности, что при температуре абсолютного нуля плоская электронная волна в строго периодическом потенциальном поле кристаллической решетки распространяется без рассеяния энергии. Это означает, что в идеальном кристалле длина свободного пробега электронов должна быть бесконечной, а сопротивление кристалла электрическому току равно нулю. Однако, из-за тепловых колебаний атомов и влияния точечных и линейных дефектов кристаллической решетки длина свободного пробега электронов в реальных проводниках конечна и достигает величины 40...60 нм.