КОНТАКТНЫЕ ЯВЛЕНИЯ

 В ПОЛУПРОВОДНИКАХ

(природа контактной разности потенциалов, зонные диаграммы контактов полупроводник–полупроводник (электронно–ды­рочный переход) и металл–полупроводник; математическая модель идеализированного электронно-дырочного перехода; физические явления (туннельный эффект, ударная ионизация и др.), вызывающие отклонения от идеализированной модели; инерционные свойства перехода, барьерная и диффузионная емкости; физические процессы в контактах полупроводников с различной шириной запрещенной зоны (гетеропереходы); особенности квантово – размерных структур; эффект внешнего поля)

 

В основе работы многих полупроводниковых приборов лежат явления, происходящие на границах между материалами с различными электрофизическими свойствами. Такая граница называется контактом. Иными словами, контакт – это неоднородность, созданная в объеме или на поверхности полупроводника. Наибольшее распространение получили следующие четыре вида контактов:

контакт между электронным и дырочным полупроводником, или p-n переход;

гетеропереход – контакт между полупроводниками с различной шириной запрещенной зоны;

контакт металл- полупроводник;

контакт металл-диэлектрик-полупроводник, или МДП контакт.

Рассмотрим далее свойства различных полупроводниковых контактов.

Hosted by uCoz